碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。

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　　3、制作高质量模具，只有供需双方紧密配合，才能最终降低成本，缩短周期。速度的快慢是决定原料在模具浇道内及成品中之状况，快有毛边，过饱，烧焦，慢了就会出现短射，缩水，结合不良易断等。

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