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2019-06-08 00:22字体:
  

  碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。

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  3、制作高质量模具,只有供需双方紧密配合,才能最终降低成本,缩短周期。速度的快慢是决定原料在模具浇道内及成品中之状况,快有毛边,过饱,烧焦,慢了就会出现短射,缩水,结合不良易断等。

  为迎合年轻人丰富而有与众不同的感官体验,多闪推出捏脸功能。用户在使用中可自行设定喜欢的小闪形...

  



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